虽然不同细分产业有差异化表现，但整体看，2023年是半导体市场承压和库存整理的年份。但其中也有明显逆势而上的产业——碳化硅（SiC）市场。

　　作为新兴化合物半导体中的一类，碳化硅市场由于特斯拉的率先应用，正加速在新能源汽车中验证上车。近两年来也是全球碳化硅巨头积极扩产、进行收并购和开拓合作的年份。

　　扩产和市场落地火热也快速体现在相关公司业绩中。无论是国际巨头还是国内A股上市公司，2023年与碳化硅相关的业绩都出现了较快成长态势。

　　相比于第一代半导体硅，被称为第三代半导体的碳化硅发展处在相对早期，因此相关投融资也尤为频繁。据第三方机构集邦化合物半导体不完全统计，2023年SiC全产业链发生了上百次融资事件，并有多家厂商在年内完成了两轮甚至多轮融资。

　　当前碳化硅应用落地还面临一定挑战，产品性能、应用成本、大规模量产等都是重要命题。正如率先采用碳化硅功率器件的特斯拉，在2023年宣布将大幅减少碳化硅用量，显示出其应用落地还有很大提升空间。

　　产业链已在对此进行思考和探索，而当下虽然全球都在积极扩产和推进技术沿革，未来产业走向整合也将是必然。由此，目前阶段的产品演进和产业链间密切联合正成为主要趋势。

　　国内头部碳化硅衬底材料供应商天岳先进（688234.SH）近期公告显示，预计2023年公司实现归属母公司的扣除非经常性损益后净利润为-1.35亿元至-9600万元，同比将增加47.77%~62.86%，即增加1.23~1.62亿元。

　　公告指出，业绩变化源于年内受益于碳化硅在下游新能源汽车、光伏发电、储能等应用领域的渗透应用，碳化硅半导体整体市场规模不断扩大。2023年公司上海临港智慧工厂开启产品交付；导电型产品产能产量持续提升，产品交付能力增强。

　　碳化硅相关芯片和模块产品供应商芯联集成（688469.SH）公告显示，预计2023年实现营业收入约53.25亿元，同比增长约15.60%；年内归属于母公司所有者的扣非净利润约为-22.92亿元，同比将增亏约8.89亿元。

　　当然增亏背后与该公司正处在快速推进研发和扩产动作有关。公告显示，年内预计产生折旧及摊销费用约34.71亿元，同比增加约13.90亿元。由此对期内经营业绩产生较大影响。

　　对于碳化硅业务，公司大幅增加了对SiC MOSFET、12 英寸产品方向的研发力度。期内公司在12英寸产线、SiC MOSFET产线、模组封测产线等方面进行了大量战略规划和项目布局。

　　该公司指出，随着新增产能逐步释放，收入水平快速提升，规模效应逐步显现，以及折旧逐步消化，盈利能力将快速改善。预计车规级产品营业收入将持续增加，特别是SiC MOSFET上车速度与数量将快速提升，2024年SiC业务营收预计将超10亿元。

　　1月30日，芯联集成还宣布与蔚来（纽交所: NIO) 签署碳化硅模块产品生产供货协议，其将成为蔚来首款自研1200V碳化硅模块的生产供应商。

　　设备方面，碳化硅（SiC）金刚线.SH）和SiC长晶设备企业晶升股份（688478.SH）均预计2023年业绩有较大幅度增长。

　　公告显示，高测股份预计2023年实现归属于母公司扣除非经常性损益的净利润为 14-14.6亿元，同比增加86.61%~94.61%。其中2023年公司碳化硅金刚线切片机订单规模大幅增长，市场渗透率快速提升。

　　晶升股份公告指出，预计2023年度归母扣非净利润为4100~4900万元，同比增加80.52%~115.74%。业绩增长原因在于年内下游市场快速发展，公司积极丰富产品序列及应用领域，销售规模不断扩大，同时运营效率得到有效提升。据悉，在6英寸向8英寸转型升级趋势下，晶升股份正积极推动8英寸SiC单晶炉的成熟及推广应用，其8英寸SiC长晶设备目前进展顺利，已通过客户批量验证。

　　集邦化合物半导体统计指出，从融资轮次来看，众多SiC相关厂商在2023年完成的大多数是天使轮、A轮以及B轮融资。一方面，这与SiC产业仍处于发展初期阶段有关；另一方面，很多公司是过去一年内在SiC产业风口下新成立的初创企业。

　　从产业链环节看，材料、器件、设备均为SiC产业投资热点。而随着iC功率器件加速上车，各大车企也积极参与相关厂商融资，以期与各大SiC器件厂商形成更加深度地，在产品方面掌握更多主动权与线次融资，年初和年尾SiC产业融资最火热。其中积塔半导体不仅是在4月和9月各完成一轮融资的唯一厂商，也贡献了2023年SiC产业单笔最高融资额135亿元。

　　近日举行的业绩交流会上，意法半导体CEO Jean-Marc Chery介绍道，2023年在碳化硅方面，公司继续提高在卡塔尼亚和新加坡工厂的前端设备生产，并提高了在摩洛哥和中国工厂的后端制造能力。此外还在卡塔尼亚启动了新的一体化碳化硅衬底制造设施生产，这是其碳化硅垂直整合战略的重要一步。当年内，

　　”Jean-Marc Chery如此表示。在2023年，意法半导体实现碳化硅相关收入11.4亿美元，同比增长60%以上；预计2024年碳化硅收入为15-16亿美元，目标是2025年收入达到20亿美元。根据公司预期，其客户集中度也将下降。

　　此前该公司主要为特斯拉供应碳化硅相关器件，也助推其在碳化硅器件市场份额领先。该介绍，其在全球碳化硅MOSFET市场份额已超50%。近期意法半导体执行副总裁、中国区总裁曹志平接受21世纪经济报道记者专访时还表示，公司还在不断迭代优化碳化硅工艺技术，改善碳化硅产品性能、扩展性、可靠性，持续提升产能，以满足更高的质量要求和其他不断增长的市场需求。

　　另一全球功率器件龙头英飞凌也在积极对外“牵手”。1月23日，英飞凌与全球碳化硅衬底材料巨头Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm SiC晶圆供应协议。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议，将有助于保证英飞凌供应链稳定，同时满足多领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。

　　近期，英飞凌已先后与储能领域头部公司盛弘电气、SiC晶圆供应商SK Siltron CSS、国内车载电源厂商富特科技等达成合作。英飞凌将为盛弘电气提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件、EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC等产品。与富特科技则旨在加强双方对车载电源领域半导体技术的深度合作。

　　因此业内人士普遍认为，碳化硅功率器件对硅基功率器件的影响将是部分的，而非完全替代，将视具体应用场景对功率、高压等具体需求而定。比如一些采用车用碳化硅逆变器，一些则采用车用硅基IGBT逆变器。

　　这意味着要加速应用落地，碳化硅产业链目前要面临的挑战就是快速提高产量、提升应用效率并降低应用成本，不过此前已有业内人士对21世纪经济报道记者表示，应用碳化硅功率器件其实已经可以系统性降低应用成本，也即对整车的节能等效果带来裨益。

　　今后三年，我们有三个工作重点：第一，将生产线英寸晶圆；第二，落实碳化硅供应链垂直整合策略，包括正在卡塔尼亚工厂建造的碳化硅衬底综合厂，将碳化硅衬底内部供应量占比提升到40%；第三，与Soitec合作在8英寸晶圆上采用SmartSiC技术。”另一重挑战则是产业发展到一定阶段将会走向整合期。目前全球各地都在积极推进碳化硅产业链建厂和投资等事宜，某种程度上出现过热迹象。待一段时间后，产业间必然将出现公司过多而进行收并购的趋势。届时核心考验的是目前碳化硅入局者们的研发、应用和落地进程。

　　在2023年初，就有业内人士直言：第三代半导体不需要那么多玩家，不排除未来会走类似LED产业的发展沿革路线。

　　虽然目前看起来有些遥远，但眼下与产业链的积极牵手合作、推进先进能力研发，就成为重要的发展命题。